Принцип на работа на диода (права проводимост, обратна не{0}}проводимост)
Кристалният диод е ap{0}}n преход, образуван от p-тип и n-тип полупроводници. От двете страни на интерфейса се образува слой пространствен заряд и се установява вградено-електрическо поле. Когато не се прилага външно напрежение, дифузионният ток, причинен от разликата в концентрацията на носители през p-n прехода, и дрейфовият ток, причинен от вграденото-електрическо поле, са равни, което води до състояние на електрическо равновесие. Когато се приложи преднапрежение, ефектът на взаимното анулиране между външното електрическо поле и вграденото-електрическо поле увеличава дифузионния ток на носителите, причинявайки посочен ток (причината за проводимостта). Когато се приложи обратно отклонение, външното електрическо поле и вграденото-електрическо поле се засилват допълнително, образувайки обратен ток на насищане I0, който е независим от стойността на напрежението на обратното отклонение в определен диапазон на обратното напрежение (ето защо е не-проводим).
Когато приложеното обратно напрежение е достатъчно високо, напрегнатостта на електрическото поле в слоя с пространствен заряд на прехода p-n достига критична стойност, причинявайки процес на умножаване на носители, генерирайки голям брой двойки електронни-дупки и произвеждайки много голям обратен ток на пробив, известен като пробив на диод.
